������

Ionotroniset laitteet avaavat uusia mahdollisuuksia sähköisten muistien kehittämisessä. Ne toimivat ionien eli sähköisesti varautuneiden atomien tai molekyylien avulla, kun perinteisten muistien toiminta perustuu elektroneihin, atomin ydintä kiertäviin alkeishiukkasiin. Ionotroniset laitteet voivat myös toimia sekä ionien että elektronien avulla. Edessä on kuitenkin vielä monta teknistä haastetta ennen kuin näitä uudenlaisia muisteja voidaan valmistaa.

Aalto-yliopiston tutkijat ovat kuvanneet, kuinka happi-ionien liike kompleksioksidisessa materiaalissa saa materiaalin kiderakenteen muuttumaan yhtenäisesti ja palautuvasti aiheuttaen suuria muutoksia sähkövastuksessa. He tekivät yhtäaikaisia kuvannus- ja vastusmittauksia läpäisyelektronimikroskoopilla (TEM) käyttäen näytepidintä, jossa on nanokokoinen sähköinen anturi. Resistiivinen muisti (RRAM) voisi hyödyntää tätä vaikutusta.

Näytepidin helpotti ionien vaeltamisen hallintaa

”Läpäisyelektronimikroskoopissa elektronisäde läpäisee hyvin ohuen näytteen. Erilaiset ilmaisimet keräävät elektronit näytteen läpäisyn jälkeen, ja niistä saadaan yksityiskohtaista tietoa materiaalin atomirakenteesta ja koostumuksesta. Tekniikka on erittäin tehokas nanomateriaalin karakterisoinnissa, mutta jos sitä käytetään tavanomaiseen tapaan, sillä ei voi muokata materiaalia aktiivisesti mikroskoopin sisällä. Käytimme tutkimuksessamme erityistä näytepidintä, jossa on pietso-ohjattu metallinen näytteenotin sähköisen nanokontaktin aikaansaamiseksi. Tämän in situ –tekniikan avulla pystyimme lyhyitä jännitepulsseja käyttämällä hallitsemaan happi-ionien vaellusta näytteessä”, kertoo tutkijatohtori Lide Yao teknillisen fysiikan laitokselta.

Tutkimusten mukaan happi-ionien vaeltaminen pois kontaktin läheltä johti äkilliseen muutokseen oksidin hilarakenteessa sekä sähkövastuksen kasvuun. Jännitteen napaisuuden vaihto palautti alkuperäiset ominaisuudet täydellisesti. Tohtorikoulutettava Sampo Inkisen tekemät sähkötermiset simulaatiot osoittivat, että sähkövirran aiheuttaman näytteen lämpenemisen ja sähkökentän ohjaaman ionien liikkeen yhdistelmä aiheutti vaihto-ominaisuuden.

Ionotroninen periaate soveltuu useiden materiaalin ominaisuuksien muokkaamiseen

”Tässä tutkimuksessa tutkittu materiaali on kompleksioksidi. Kompleksioksideissa voi esiintyä useita mielenkiintoisia fyysisiä ominaisuuksia, kuten magnetismia, ferrosähköisyyttä ja suprajohtavuutta. Nämä ominaisuudet vaihtelevat materiaalin hapetustilan mukaan. Happi-ionien jännitteellä aikaansaatu vaeltaminen muuttaa hapetustilaa ja aiheuttaa voimakkaita vasteita materiaalissa. Olemme osoittaneet suoran korrelaation happipitoisuuden, kiderakenteen ja sähkövastuksen välillä, ja samaa ionotronista periaatetta voisi hyödyntää muiden materiaalin ominaisuuksien hallitsemisessa”, sanoo professori Sebastiaan van Dijken.   

Tutkijatohtori Lide Yao teki tutkimuksen Aalto-yliopiston Nanomikroskopiakeskuksessa, joka on materiaalien nanokarakterisaation keskus Suomessa ja osa kansallista OtaNano-tutkimusinfrastruktuuria. Kuva Mikko Raskinen.

”Tässä tutkimuksessa käytimme erityistä näytteenpidintä, jonka avulla pystyimme suorittamaan yhtäaikaisia mittauksia atomirakenteesta ja sähkövastuksesta. Kehitämme parhaillaan täysin uutta ja ainutlaatuista näytteenpidintä, jonka avulla TEM-mittauksia voisi suorittaa samalla kun näytettä säteilytetään voimakkaalla valolla. Aiomme tulevaisuudessa tutkia atomitason prosesseja perovskiitti-aurinkokennoissa ja muissa optoelektronisissa materiaaleissa tällä kokoonpanolla”, Yao lisää.

Tutkimustulokset julkaistiin uusimmassa -julkaisussa. In situ -TEM-tutkimus tehtiin Aalto-yliopiston , joka on materiaalien nanokarakterisaation keskus Suomessa ja osa kansallista .

Artikkeli: Lide Yao, Sampo Inkinen & Sebastiaan van Dijken: Direct observation of oxygen vacancy driven structural and resistive phase transitions in La2/3Sr1/3MnO3. Nature Communications 2017. DOI: 10.1038/NCOMMS14544

-tutkimusryhmän verkkosivut